爆料指出 Apple 新款 iPhone 18 Pro 系列將調漲售價,同時 1TB 與 2TB 高容量版本暗中從 TLC 降級為 QLC NAND,寫入速度與耐用度恐下滑,但 256GB 與 512GB 版本仍維持 TLC 規格不變。
(前情提要:蘋果20萬份機密外洩》包括 iPhone 18 Pro 未發表零件圖、機密供應商清單..)
(背景補充:臺積電2奈米晶片太貴!傳蘋果iPhone 17 Pro續用3nm,輝達、高通恐轉單?)
本文目錄
- 1TB、2TB 版本改採 QLC,256GB 與 512GB 維持 TLC
- TLC 與 QLC 技術差異:速度與耐用度的取捨
- 成本壓力:256GB 快閃記憶體成本從 13 美元暴漲至 51 美元
根據爆料者 Reptalica 的說法,蘋果(Apple)預計將調高 iPhone 18 Pro 與 iPhone 18 Pro Max 的售價,但高容量版本的儲存規格卻可能出現「明升暗降」的調整,引發市場關注。
1TB、2TB 版本改採 QLC,256GB 與 512GB 維持 TLC
訊息指出,256GB 與 512GB 版本將繼續採用由 SK 海力士(SK Hynix)、鎧俠(Kioxia)與 SanDisk 供應的 TLC NAND 快閃記憶體;至於 1TB 與 2TB 版本,則可能改採 QLC NAND 為主。
具體配置方面,1TB 版本主要使用 SK 海力士的 BC8Q-1T QLC NAND,另有少量機型可能混用三星(Samsung)3DV8 1TB TLC NAND 作為「稀有替代」。2TB 版本則據稱將採用 SK 海力士 BC8Q-2T QLC NAND,爆料者指出這款晶片屬於企業級設計,隨機 4K 效能表現可能較弱。做為對比,前代 iPhone 17 Pro Max 的 2TB 版本仍採用 TLC NAND。
TLC 與 QLC 技術差異:速度與耐用度的取捨
從技術特性來看,TLC(Triple-Level Cell)NAND 每個儲存單元可存放 3 位元資料,通常具備較快且較穩定的寫入速度,耐用度也普遍優於 QLC NAND;QLC(Quad-Level Cell)每單元可存放 4 位元資料,優勢在於儲存密度更高、成本更低,但寫入速度與穩定性通常較遜色。對於需要頻繁寫入大量資料的專業使用者而言,QLC 的隨機寫入效能落差可能在使用體驗上產生明顯差異。
值得注意的是,所有 iPhone 18 Pro 機型均採用蘋果自研的 S6E PHY(3nm、PCIe 5.0 x1 PHY,與 NAND 封裝在一起),因此儲存控制器本身並未降級,問題落在 NAND 晶片本身的規格差異上。
成本壓力:256GB 快閃記憶體成本從 13 美元暴漲至 51 美元
至於蘋果可能調整高容量版本儲存方案的原因,報導認為與成本壓力有關。資料指出,256GB iPhone 18 Pro 的快閃記憶體成本,可能從對應 iPhone 17 Pro 機型的每臺 13 美元,上升至每臺 51 美元,漲幅接近 4 倍。這意味著即便蘋果調漲售價,零件成本的上漲壓力仍相當可觀。
在終端售價方面,市場預期 iPhone 18 Pro 與 iPhone 18 Pro Max 的起售價將分別來到 1,399 美元與 1,499 美元,較前代明顯上漲。若相關爆料屬實,256GB 與 512GB 版本的相對吸引力可能因此提高——消費者或許會發現,選購中容量版本反而能獲得更好的儲存效能。
整體而言,現有資訊均來自爆料與報導內容,蘋果尚未正式公布 iPhone 18 Pro 系列的最終儲存配置與售價,實際規格有待官方發表會確認。
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